電解電源MOSFET管具有開關(guān)速度快，電壓控制的優(yōu)點，缺點是導通電壓降稍大，電流、電壓容量不大;雙極型晶體管，卻與它的優(yōu)點、缺點互易，因而就產(chǎn)生了使它們復(fù)合的思想;控制時有MOS-FFT管的特點，導通時具有雙極型晶體管特點，這就產(chǎn)生IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor)管研制的動機，該管稱為絕緣柵雙極晶體管。下面由小編為您詳細介紹電解電源IGBT管。
一、IGBT結(jié)構(gòu)與工作原理
GBT結(jié)構(gòu)上與MOSFET十分類似，只是多了一個P’層，引出作為發(fā)射極MOSFET完全相似。按其緩沖區(qū)不同分對稱型和非對稱型。柵極、集電極與有阻斷能力;非對稱型，正向有阻斷能力對稱型具有正、反向特性對稱，都電流拖尾小，均屬優(yōu)點，反向阻斷能力低，但它的正向?qū)▔航敌?，關(guān)斷得快，而對稱型卻沒有這些優(yōu)點。簡化等效電路及常用符號示于圖4一25中，集電極、發(fā)射極，分別用C.E表示。溝道IGBT的工作原理:IGBT由柵極電壓正、負來控制。當加上正柵極電壓時，絕緣柵下形成，MOSFE T導通，相當于凡接到E，為PNP晶體管提供了流動的基極電流(即整個IGBT)導通。當加上負柵極電壓時，IGBT工作過程相反，形成關(guān)斷。從而使PNP管
二、IGBT的靜態(tài)工作特性
電鍍電源靜態(tài)工作特性有圖伏安特性示。轉(zhuǎn)移特性和開關(guān)特性，伏安特性與雙極型功率晶體管相似。隨著控制電壓Vg。的增加，特性曲線上移。每一條特性曲線分飽和區(qū)、放大區(qū)和擊穿區(qū)。Vge=o時，k值很小，為截止狀態(tài)。開關(guān)電源中的IGBT,通過Vge電平的變化，使其在飽和與截止兩種狀態(tài)交替工作。轉(zhuǎn)移特性是(k一Vge)關(guān)系的描述。k與V二大部分是線性的，只在V，很小時，才是非線性。有一個開啟電壓Vge(th) , Vge < Vge(th)時，k=o為關(guān)斷狀態(tài)。使用中vg, ` 15V為好。開關(guān)特性是(k一Vice)曲線?？梢钥闯砷_通時基本與縱軸重合，關(guān)斷時與橫軸重合。體現(xiàn)開通時壓降小(1000v的管子只有2-3V，相對MOSFET來說較小)關(guān)斷時漏電流很小，與場效應(yīng)管相當。
三、IGBT的動態(tài)特性
動態(tài)特性主要指開通、關(guān)斷二個過程有關(guān)的特性，如電流、電壓與時間的關(guān)系。一般用典型值或曲線來表示。圖4一29表示開通動態(tài)特性，開通過程包括ta(o.) (開通延遲時間)Nt.(電流上升時間)、ttvt(MOSFE’I，單獨工作時的電壓下降時間)、tfv2 (MOSFE’I，與PNP兩器件同時工作時的電壓下降時間)四個時間之和。由圖可知各時間定義范圍。當td(.) +‘后集電極電流已達Ic，此后vc。才開始下降，下降分二個階段，完后v，再指數(shù)上升外加Vge值。二個階段中t2由MOSFET的柵一漏電容以及晶體管的從放大到飽和狀態(tài)兩個因素影響。
關(guān)斷時間也包括td(o0)(關(guān)斷延遲)、‘(電壓上升), tfil (MOSFE’I，電流下降)和tf2(PNP管電流下降)四個時間和。吮包括了晶體管存儲電荷恢復(fù)后期時間，一般較長一些，因此，對應(yīng)損耗也大。常希望變小些，以減小功耗，提高開關(guān)頻率。這時，往往又引起通態(tài)壓降增加的問題。上述八個時間實際應(yīng)用中常只給出四個時間:tom,trIt0ff和tf。圖4一30給出一個25A,1000v的典型曲線。圖中ton = td(on) + ti “ tr = tfvl + tfv2 “ toff = td(off) + trv “ tf = tfil + tfi2 0
這些參數(shù)還與工作集電極電流、柵極電阻、及結(jié)的溫度有關(guān)。應(yīng)用時可參考器件的特性線。四個參數(shù)中toff增加，原因是存儲電荷恢復(fù)時間引起的。
四、IGBT的柵極驅(qū)動及其方法
IGBT的柵極驅(qū)動需特別關(guān)注。它的正偏柵壓、負偏柵壓(土Vge)及柵極串聯(lián)電阻R。對開通、關(guān)斷時間•損耗、承受短路電流能力及dV/dt都有密切的關(guān)系。在合理范圍內(nèi)變化V，和Rg時其關(guān)系。在掌握IGBT的特性曲線和參數(shù)后可以設(shè)計柵極的驅(qū)動電路。MOSFEI，管的特性。因此，用于MOSFET管的驅(qū)動電路均可應(yīng)用。
1.直接驅(qū)動法
前面介紹驅(qū)動MOSFEI，均有參考價值。原則上，因它的輸人特性是例如有如下幾種方法:如果要士Vge偏壓，則可參照圖4一32(a)示出變壓器隔離驅(qū)動電路，圖(b)示出光電禍合隔離驅(qū)動電路。圖(b)是雙電源供電的驅(qū)動電路。當V。使發(fā)光二極管有電流流過時，光電禍合器HU的三極管導通，R，上有電流流過，場效應(yīng)管T1關(guān)斷，在v。作用下，經(jīng)電阻R2, T2管的基一發(fā)極有了偏流，T2迅速導通，經(jīng)R。柵極電阻，IGBT得到正偏壓而導通。當幾沒有脈沖電壓時，發(fā)光二極管不發(fā)光時，作用過程相反，T1導通使T3導通，一V。經(jīng)柵極電阻R。加在IGBT的柵一發(fā)極之間，使IGBT迅速關(guān)斷。
2.集成模塊驅(qū)動電路
鍍整流器目前較多使用EXB系列集成模塊驅(qū)動IGBT。它比分立元件的驅(qū)動電路有體積小，效率高，可靠性高的優(yōu)點。它是十六腳型封裝塊。內(nèi)部結(jié)構(gòu)為其典型應(yīng)用電路。EXB840能驅(qū)動75A, 1200V的IGBT管。加直流20V作為集成塊工作電源。開關(guān)頻率在40千赫以下，整個驅(qū)動電路動作快，信號延時不超過1.5微秒。內(nèi)部利用穩(wěn)壓二極管產(chǎn)生一5V的電壓，除供內(nèi)部應(yīng)用外，也為外用提供負偏壓。集成塊采用高速光禍輸人隔離，并有過流檢測及過載慢速關(guān)柵等控制功能。
高頻開關(guān)電源圖4一34為有過流檢測輸人和過流保護輸出的一種典型應(yīng)用。當IGBT出現(xiàn)過流時，腳5出現(xiàn)低電平，光禍Sol有輸出，對PWM信號提供一個封鎖信號，該信號使PWM驅(qū)動脈沖輸出轉(zhuǎn)化成一系列窄脈沖，對EXB840實行軟關(guān)斷。此電路中具有記憶、封鎖保護功能外，還具有較強的抗干擾能力，在真正過流時(即信號持續(xù)IO廬以上)才發(fā)生控制動作，關(guān)斷IGBT0在要求有較高的負偏壓輸出，例如一15V時，對原3腳與9腳的一5V進行簡.單改接。
